전체 글 (44) 썸네일형 리스트형 Debye Sheath(디바이 차폐) 1. Debye Sheath(디바이 차폐) 학술적 정의 : 디바이 차폐(Deype Shielding)를 만족하는 이온화된 기체 Plasma 내부에 전기장이 인가될 때 플라스마는 이것을 차폐시켜 없애려는 성질을 가지고 있습니다. 이는 Plasma 내의 양전하와 음전하들이 전기장에 반응하여 재배치되기 때문입니다. 국부적인 전기장을 차폐하기 위한 하전 입자들의 움직임을 디바이 차폐라고 합니다. 이것을 통해 플라스마가 전기적으로 준중성 상태를 유지할 수 있습니다. 전자가 하전입자의 전기장을 차단하여 중성이 되는 곳까지 거리를 Debye Length라고 합니다. 전자의 밀도가 높아지면 짧아지고, 밀도가 낮아지면 Debye Length가 길어집니다. Plasma 내에서는 일어나는 반응은 아래와 같이 이온화, 여기,.. GAA, Gate All Around 1. GAA, Gate-All-Around 반도체 기술이 복잡해지고 고도화됨에 따라 반도체의 크기는 더욱 작아지고 집적도가 높아지면서 초미세 공정 기술이 중요해졌습니다. 크기와 소모 전력이 작으면서도 성능이 높은 반도체가 필요하면서 트랜지스터의 구조 또한 혁신 적인 변화를 맞이했습니다. 트랜지스터란 것은 Gate에 전압이 가해졌을 때 Channer을 통해 Source와 Drain으로 전류가 흐르면서 동작하는 것입니다. 과거에는 평판(Plannar) 트랜지스터를 사용했는데 게이트와 채널이 하나의 면으로 맞닿아 있었습니다. 이런 평면 2D 구조는 크기를 줄이다 보면 Source, Drain 간 거리가 가까워져 전류 Leakage가 생기는 Short channerl 현상이 생기는 등으로 인해 동작 전압을 낮추.. 반도체란? 1. 반도체 반도체란 무엇일까요? 영어로 하면 Semiconductor입니다. semi + conductor의 합성어입니다. conductor란 우리말로 도체라는 뜻입니다. 도체란 원자의 최외곽 전자가 약한 힘으로써 고정되어 다른 원자로 쉽게 이동할 수 있는 물체를 말합니다. 따라서 도체에는 전기가 잘 통합니다. 반대로 부도체는 전기가 통하지 않는 물질이죠. Semiconductor란 반도체란 뜻으로 상온에서 전기 전도율이 도체와 부도체의 중간 정도가 되는 물질입니다. 한마디로 상황에 따라서 도체도 될 수 있고, 부도체도 될 수 있는 성질을 가진 것이 반도체입니다. 1-1. 반도체 띠구조 반도체를 띠구조에서 살펴보면 절대 영도에서 가장 위의 원자가띠가 완전히 차 있는 고체입니다. 전자의 페르미 에너지가 .. CVD 주요 부품 특성 2 2. Chamber Clean RPS RPS란 Remote Plasma System을 말하는 것입니다. Process Deposition이 Chamber 내부에 생성된 Film 잔재는 다음 Process 진행의 Particle source가 되기 때문에 제거해야만 합니다. 하지만 이를 제거하기 위해 Chamber를 OPEN 한다면 매번 장비의 Tool time을 잡고 조치를 함에 따라 시간이 길어집니다. 따라서 효과적인 Chamber내부 Clean을 위해서 Clean 효율이 좋은 F2를 Radical로 공급하여 Insitu Clean을 하고 지속적인 막질 품질과 높은 생산성을 유지할 수 있습니다. RPS Clean을 사용할 때 장점은 다음과 같습니다. 1. Radical만을 이용한 Chemical Cle.. Self-Bais 1. Self-Bais 양 극 사이를 RF Power 인가시에 음전하는 재빨리 움직일 수 있지만, 양전하는 상대적으로 느립니다. 따라서 RF를 인가한 전극에는 - 음전하를 띄게 됩니다(Vdc). RF를 인가하면 전체적 - 전하를 띄게 되고, 이를 Self Bias에 의한 전압 강하라고 말합니다. 아래 그림을 보시게 되면 크기가 다른 양극재, 음극재 사이에서 왼쪽에 RF Plasma를 걸게 됩니다. RF란 +,-를 교차로 거는 방식으로 부도체인 양극재, 음극재 사이에 RF를 인가하게 되면 보시는 바와 같이 +, - 이온들이 그 사이를 움직이게 됩니다. + 전자의 경우에는 무겁고, - 전자의 경우 가볍기 때문에 상대적으로 -전자의 이동이 더욱 빠르게 됩니다. 따라서 RF의 거동에 따라서 - 전자가 이동을 빨.. CVD 기본에 대한 이해 1. CVD 기본에 대한 이해 기본적으로 반도체 장비에서 Film을 만들고 나면 불필요한 by product는 evacuate 가 원활해야 하고, 지속적으로 재현성 있게 잘 구현되어야 합니다. 300mm Fab 장비는 보통 CLN Room에 메인 장비를 놓고, 기타 장비 Component는 2F(Chiller, Power Box, Heat Exchanger), 그리고 1F에는 (Pump, Gas공급 장치)등을 둡니다. 보통 메인 장비에서 Wafer가 Chamber로 이동하여 증착하는데 일반적인 순서는 다음과 같습니다. FOUP at Load Port -> Front Robot Front Robot -> Aligner -> Load Lock ->TM(Transfer Module) -> Chamber -> .. CVD 주요 부품 특성 1. RF Power RF Generator, Matcher 2가지로 구분할 수 있습니다. Generator는 Chamber내에 Plasma를 Ignition 하는데 필요한 RF Power를 공급하는 역할을 합니다. RF Matcher는 RF Generator의 Impedance와 챔버의 Impedance를 Match 하여 Reflect Power를 최소화함으로써 RF Generator에서 생성된 Power Loss를 최소화하여 챔버로 전달하는 역할을 합니다. ** impednace란? Impedance (Z)의 물리적인 의미는 일반 저항(R)과 비슷하지만 저항과는 달리 주파수까지 고려한 값을 Impedance라고 합니다. Inductance(L)은 주파수에 따라 임피던스가 달라집니다. Impedance.. Semiconductor & Fermi Level 1. Fermi Level Fermi Level (페르미 준위) 란 무엇일까요? 양자 역학에서 Fermi-Dirac distribution의 변수나 페르미 입자계의 화학에너지 μ를 말하는 것입니다. 절대 영도에서 Fermi Level은 바닥상태의 에너지로, 이를 Fermi enery라고 합니다. 결정 사이에 전자 에너지는 띠구조로 되어 있는데 절대 영도의 Fermi Energy는 금속의 경우에는 전자를 바닥부터 채워서 그 수가 계의 전전자수가 된 것의 전자 에너지이지만, 반도체나 절연체의 경우 전도띠와 원자가띠 사이의 띠 틈 속에 있습니다. 너무 어려우므로 이를 좀 더 자세히 알아보도록 합시다. 1-1. Fermi level의 두 가지 정의 1) 절대온도 0K에서 전자가 가질 수 있는 최대 에너지 준위를.. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음
