전체 글 (44) 썸네일형 리스트형 Silicide와 Salicide 공정 1. Silicide공정 Silicide의 목적은 낮은 접촉 저항을 확보하고, 쇼트키 특성 배제 및 접촉 저항 특성을 보유하기 위함입니다. FEOL에서 구성한 Transistor의 단자들과 BEOL에서 만든 배선 사이에 실리콘과 금속의 접합으로 연결되는데, 실리콘-금속의 화학적 접합으로는 본연의 기능 수행에 어려움이 있기 때문에 Silicide라는 중간 형태의 접합층을 두어 실리콘과 금속 사이에 정상적으로 전압에 비례하는 전류가 흐르도록 유도해야 합니다. MOS 구조에서 중간에 절연막이 없는 형태를 확인해 봅시다. 금속-실리콘 물리적 접합은 두 가지 경우 중 한 가지 특성을 나타냅니다. 실리콘에서 금속 쪽으로 전자들이 한 방향으로만 이동하거나(쇼트키 접합, Schottky Junction) 혹은 양방향으.. MOSFET 기초 1. MOS FET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로 MOSFET은 비휘발성 메모리인 플레쉬 메모리와 휘발성 메모리인 DRAM의 기본 원리 및 구조입니다. 또한 P Channel과 N Channel 의 MOSFET 2개가 직렬로 구성되어 입력은 Gate에 출력은 Drain에 같이 연결된 CMOS(Complementry metal oxide semiconductor)가 있습니다. MOS는 반도체 설계 기술이고, FET은 반도체 제품입니다. 기술과 제품이 합쳐져서 MOSFET이 되고 이를 MOS라고도 부릅니다. 이 때 CMOS는 2개의 PMOS, NMOS가 상보적으로 합쳐진 트랜지스터입니다. 흔히 Source(S), Drain(D)가 표시되어 .. 반도체 HVT, RVT, LVT, SLVT란? 1. HVT, RVT, LVT, SLVT Cell이란? 디지털 하드웨어 ASIC 설계는 로직이 매우 복잡하고 전력 소비와 작업에 걸리는 최소 시간을 줄이는 것을 목표로 합니다. ASIC에는 수많은 논리 셀이 있습니다. 각 논리셀들은 다양한 기능을 구현되기 위해 설계에 사용되었습니다. 각 논리 셀은 다중 트랜지스터(스위칭 소자)로 구성됩니다. 따라서 이러한 셀에 걸리는 힘과 시간이 최종 제품의 전반적인 특성을 결정합니다. 따라서 스위칭 소자의 전력 소비와 타이밍을 제어하여 가장 좋은 결과를 얻어야 합니다. 전력 소비는 동적 전력과 정적 전력을 포함하는 개념입니다. 동적 전력이란 트랜지스터를 스위칭하는 동안 소비되는 전력이고, 정적 전력은 트랜지스터의 전원이 켜질 때 흐르는 누설 전류(논리적 OFF상태)에 .. 신뢰성 평가 1. 신뢰성 평가 제품이나 부품이 사용 기간 동안 고장 없이 얼마나 오랫동안 안전하고 편리하게 사용할 수 있는지를 나타내는 정량적인 수치로 나타내는 평가지표 1-1. 시험 분석 분야 크게 Hot Carrier, BTI(Bias Temperature Instability), TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)로 구분 수동 소자인 캐패시터, 저항의 경우 Voltages Stress or Current Stress로 신뢰성 평가. 후공정인 배선의 경우 EM(Electro Migration) or SM(Stress Migration)등의 신뢰성 항목이 있음 1-1-1. Hot Carrier Lifetime Hot Carrier라고 명명된 고 에너지 캐리어는 MOSFET 소.. 이전 1 ··· 3 4 5 6 다음
