본문 바로가기

반도체 기술

Self-Bais

반응형

1. Self-Bais

   양 극 사이를 RF Power 인가시에 음전하는 재빨리 움직일 수 있지만, 양전하는 상대적으로 느립니다. 따라서 RF를 인가한 전극에는 - 음전하를 띄게 됩니다(Vdc). RF를 인가하면 전체적 - 전하를 띄게 되고, 이를 Self Bias에 의한 전압 강하라고 말합니다.

 

아래 그림을 보시게 되면 크기가 다른 양극재, 음극재 사이에서 왼쪽에 RF Plasma를 걸게 됩니다. RF란 +,-를 교차로 거는 방식으로 부도체인 양극재, 음극재 사이에 RF를 인가하게 되면  보시는 바와 같이 +, - 이온들이 그 사이를 움직이게 됩니다. + 전자의 경우에는 무겁고, - 전자의 경우 가볍기 때문에 상대적으로 -전자의 이동이 더욱 빠르게 됩니다. 따라서 RF의 거동에 따라서 - 전자가 이동을 빨리 하게 되는데 오른쪽의 겨우 기판이 더 크기 때문에 - 전자가 빠르게 이동하면서 모두 흡수되는 반면, 왼쪽의 기판은 작기 때문에 상대적으로 - 전자가 다 흡수되지 못하고 그 주위에 위치하게 됩니다. 이러한 현상이 반복되면 결국 왼쪽 기판에 - 전자들이 모여 있어 Self bias를 가지게 됩니다.

 

이를 Self bias에 의한 전압 강하라고 합니다.

SELF BIAS 과정
Self Bias

 

SELF BIAS 그림
ICP 공정 진행 시 Self Bias에 의한 전압 강하

 

출처 :

1) ly82 eoY8V5o유튜브 내용

반응형

'반도체 기술' 카테고리의 다른 글

반도체란?  (14) 2023.02.19
CVD 주요 부품 특성 2  (3) 2023.02.18
CVD 기본에 대한 이해  (2) 2023.02.17
CVD 주요 부품 특성  (4) 2023.02.16
Semiconductor & Fermi Level  (7) 2023.02.15