1. HVT, RVT, LVT, SLVT Cell이란?
디지털 하드웨어 ASIC 설계는 로직이 매우 복잡하고 전력 소비와 작업에 걸리는 최소 시간을 줄이는 것을 목표로 합니다. ASIC에는 수많은 논리 셀이 있습니다. 각 논리셀들은 다양한 기능을 구현되기 위해 설계에 사용되었습니다. 각 논리 셀은 다중 트랜지스터(스위칭 소자)로 구성됩니다. 따라서 이러한 셀에 걸리는 힘과 시간이 최종 제품의 전반적인 특성을 결정합니다. 따라서 스위칭 소자의 전력 소비와 타이밍을 제어하여 가장 좋은 결과를 얻어야 합니다.
전력 소비는 동적 전력과 정적 전력을 포함하는 개념입니다. 동적 전력이란 트랜지스터를 스위칭하는 동안 소비되는 전력이고, 정적 전력은 트랜지스터의 전원이 켜질 때 흐르는 누설 전류(논리적 OFF상태)에 기인합니다. 우리는 HVT, SVT, LVT 셀을 이해하기 위해 누설 전류에 중점을 두겠습니다.
Multi Threshold Voltage Design 이란 Leakage Power를 줄이기 위한 방법입니다. 기존에 Multi Threshold Voltage Design을 지원하는 library에는 HVT, SVT, LVT, SLVT가 있습니다. RVT(Regular Voltage Threshold)를 기준으로 하여 각기 다음과 같이 정의할 수 있습니다.
**HVT (High Voltage Threshold) : Threshold Voltage는 높아 leakage Power를 많이 줄일 수 있지만 Speed가 느리고 미세 공정에 지원하지 않을 수 있다.
LVT(Low Voltage Threshold) : RVT에 비해 Leakage Power가 크고 Threshold Voltage가 낮아서 Speed가 빠른 block에서 사용한다.
SLVT(Super Low Voltage Threshold) : Leakage Power가 매우 크지만 Threshold Voltage가 매우 낮아 High speed 구현해야만 하는 block에 사용 된다.
출처
1) www.elec4.co.kr/article/articleView.asp?idx=28521
2) squarechip.wordpress.com
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