분류 전체보기 (44) 썸네일형 리스트형 RC-DELAY 첫번째 이야기 1. RC-DELAY BEOL 반도체 공정 중에서 Low-k물질 사용과 함께 등장하는 단어가 RC-Delay입니다. 오늘은 RC-Delay에 대해서 알아보고자 합니다. R은 Resistance, C는 Capacitance를 말합니다. ① RC직렬 회로에서 충전 시 딜레이 되는 현상을 말하고 있습니다. 저항과 콘덴서 양단에 걸리는 전압은 콘덴서의 과도현상으로 인해 처음에는 서서히 변하게 됩니다. 처음에는 저항에 모든 전압이 걸리게 되지만 콘덴서가 충전되기 시작하면서 점점 콘덴서의 전위 상승으로 인해 저항에 걸리는 전압 Vr은 결국에 0으로 됩니다. (콘덴서의 전위와 건전지 전위가 같아지므로 저항 R에는 전위치가 발생하지 않아 0으로 됩니다.) ② RC 직렬 회로에서 방전 시 딜레이 되는 현상입니다. 스위치.. RF Matching box 1. RF Matching Box RF Matching Box는 효율 적인 Power 전달을 위해 Generator와 동일한 Impedance로 matching 하기 위해 사용합니다. 통신 규약으로 Generator는 50Ω으로 고정되어 있고, 효율적인 전달을 위해서는 Matcher + Chamber도 50Ω이 되어야 합니다. 최대 전력전달 조건이기 때문입니다(Rs = RL) Pout = RL * 1/(Rs+ RL)^2 * Vin^2, Peak점이 RL = 50Ω일 때 가장 전력이 높다. 즉 Rs = RL 1-1. 저항과 임피던스 차이 직류일 경우 저항은 R = V/I로 표시합니다. 교류일 경우에는 임피던스라고 하며 Z = V/I로 표시합니다. 교 1-2. Impedance Matching 전압과 전류가.. RF PLASMA ( ICP, CCP) 1. RF Plasma 란? RF Plasma란 Radio Frequency 즉, 13.56 MHz의 주파수 교류를 주어 전자의 이동 방향을 빠르게 변경함으로써 중성입자와 충돌시켜서 플라스마를 만드는 방법입니다. 보편적으로 DC Plasma에 비해 Plasma 생성 효율이 더 높습니다. RF Plasma의 종류에는 CCP, Dual frequency, ICP 등이 있습니다. 1-1. CCP (Capacitively Coupled Plasma) 평행한 두 전극에 Self-bias를 걸어서 전극의 크기가 서로 다른 평행한 두 전극을 Chamber내에 위치시킵니다. 크기가 작은 전극에 더 큰 음의 Bias가 걸리고 크기가 큰 전극에는 상대적으로 작은 Bias가 걸립니다. 1-1-1 CCP Plasma_ RIE.. TSMC와 주가 1. TSMC와 주가 워런 버핏이 22년 3분기 대만 파운드리 업체 TSMC를 매수한 사실이 알려지면서 우리나라 투자자들도 추종 매수를 시작했습니다. 이전까지는 국내 투자자들은 TSMC 보다는 테슬라, 애플, 구글, 아마존과 같은 미국의 거대 빅테크 업체 위주로 관심을 가졌습니다. 그러나 오하마의 현인 워런 버핏의 투자로 인해서 TSMC에 대한 추종 투자를 지속하고 있습니다. 워런 버핏의 경우 저평가 된 주식을 사서 장기 투자하는 방식을 사용하는데 큰 투자 성과를 이루었습니다. 미국 철도회사 벌링턴 노던 산타페, 아메리칸 익스프레스, 코카콜라, 무디스, 애플, 옥시덴탈, 세브론 등 투자를 하여 큰 수익을 내고 있습니다. 현재에는 TSMC 주가가 높게 올라가진 않았습니다. 3분기 매출액 6131억 4300.. 반도체 Gate POLY를 사용한 이유 1. Gate에 POLY를 사용한 이유 - MOS CAPACITOR에서 Gate를 예전에는 POLY를 많이 사용 하였습니다. 현재는 Metal Gate를 사용하고 있지만 예전에는 단연코 Poly라는 물질을 사용 하였죠. 그 이유는 무엇일까요? - MOSFET에서 Gate는 수력 발전소에서 수문(Gate) 역할을 합니다. 즉 Gate에 전류를 안 흘리면 전자가 안움직이고, 전류를 흘리면 문이 열려서 Source와 Drain 사이에 전류가 흐르는 것입니다. 이렇게 Gate는 수문의 역할을 하는 중요한 것으로 전류가 잘 흘러서 도체에 가까워야 스위치를 빨리 껐다 켰다 할 수 있습니다. - 그래서 처음에는 Gate의 물질로 Al과 같은 금속을 사용했습니다. 전류가 잘 흐르니깐 Gate를 빨리 열고 닫을 수 있겠.. High-k, Low-k 1. K(Permittivity) High-k, Low-k를 들어 보셨나요? 이를 이해하기 위해서는 K(permittivity, 유전율), Dielectric(유전체), Dielectric constant(유전상수)에 대해서 먼저 이해해야 합니다. Dielectric이란 유전체를 말하며 '전기장 안에서 극성을 지니는 절연체'를 말합니다. 도체와는 달리 유전체는 절연체이기 때문에 전하가 통과하지 않습니다만, 양전하에 대해 유전체의 음전하가, 음전하에 대해 유전체의 양전하가 늘어서게 되어 극성을 띄게 됩니다. 그 결과로, 유전체가 가지고 있는 고유한 유전율 K(permittivity)에 따른 유전 상수(Dielectric constant) 만큼 전기장의 전위차는 감소하게 됩니다. 유전체는 감소한 전위차에 해.. 반도체 후공정 1. EPM (Electrical Parameter Monitoring) EPM이란 Electrical Parameter Monitoring의 약자입니다.테스트 목적은 불량 제품을 걸러내는 것도 있으나 개발이나 양산 중 제품의 결함을 피드백해서 개선시키는 것도 포함됩니다. EPM의 목적은 불량을 걸러 내는 것 보다는 제품의 단위 소자의 전기적 특성을 평가 분석 하여 웨이퍼 제작 공정에 피드백하는 것이 주 목적입니다. 만들어진 웨이퍼가 본격적 테스트를 하기 전 설계부서-소자부서가 제시한 제품의 기본적인 특성을 만족하는지 먼저 검사 하는 과정입니다. 트랜지스터 특성, 접촉 저항 등 전기적 방법으로 측정하는 공정인데 소자의 전기적 특성을 활용해 DC인자를 추출해 각 단위 소자의 특성을 모니터링합니다. 2. 웨.. 반도체 후공정 1. 반도체 후공정 반도체 제품은 원하는 기능을 하기 위해서 칩을 설계해야 합니다. 또한 설계된 칩을 웨이퍼 형태로 제작해야 합니다. 칩이 설계되어 웨이퍼로 만들어지게 되면 다음은 반도체 패키지와 테스트를 진행 해야 합니다. 반도체는 웨이퍼 공정, 패키지 공정, 테스트 순으로 진행이 되는데 웨이퍼 공정은 제조 프론트 엔드공정이라고 불리며,패키지와 테스트 공정을 백 엔드 공정이라고 불립니다. 패키지와 테스트하는 업체들을 OSAT Out sourced Assembly and Test라고 합니다. 테스트의 목적은 불량 제품이 고객에게 나가지 않도록 하는 것입니다. 불량이 발생하면 고객 신용이 떨어질 뿐만 아니라 불량 제품에 대한 손해 배상까지 해야 하므로 큰 손해가 발생합니다. 그러므로 스크린 개념의 테스트를.. 이전 1 2 3 4 5 6 다음
