CVD 주요 공정의 소개
1. CVD 주요 공정의 소개 1-1. PE CVD USG공정 PE CVD공정에서 USG (Undoped Silicate Glass)는 보통 Precursor로 TEOS를 사용하거나 SiH4를 사용하여 SiO2를 만듭니다. 절연막을 어느 구간에 사용하는지에 따라 STI, ILD, IMD로 구분을 합니다. SIH4 + N2O -------------> SiO2 + By products plasma, heat TEOS + O2 /O3--------------> SiO2 + By products plasma, heat 이 반응식을 통하여 USG를 형성하는데 이 때 관련된 parameter는 SiH4/N2O, TEOS/O2, Pressure, Inert Gas He, N2, HF, LF등이 있습니다. 관련 장비..