rcdelay (2) 썸네일형 리스트형 반도체 CVD 공정 - Gap fill, Hard Mask, Low K 1-1. Gap fill 배선과 배선 사이 절연막으로 채울 때 VOID가 없어야 합니다. Void 발생 시 후속 공정 진행 시 문제를 야기할 수 있습니다. 보통 이러한 문제의 원인은 패턴 막질 사이 절연막을 Gap fill을 할 때 상부 방향과 측면 방향에서의 증착 속도가 일정하지 않아 Overhang이 만들어지면서 내부 빈 공간을 만들고 증착이 완료되면서 만들어집니다. SiO2 공정에 SiH4 TEOS가 우수한 Step Coverage를 나타내어 Precursor TEOS가 SiH4보다 Sticking Coefficient가 낮아 우수한 특성을 지니고 있습니다. Precursor란 무엇일까요? 전구체라고도 하며 반도체 공정 진행 시 반응기 내에 여러 종류의 반응 기체를 유입시켜 화학반응을 진행함으로써 .. RC-DELAY 첫번째 이야기 1. RC-DELAY BEOL 반도체 공정 중에서 Low-k물질 사용과 함께 등장하는 단어가 RC-Delay입니다. 오늘은 RC-Delay에 대해서 알아보고자 합니다. R은 Resistance, C는 Capacitance를 말합니다. ① RC직렬 회로에서 충전 시 딜레이 되는 현상을 말하고 있습니다. 저항과 콘덴서 양단에 걸리는 전압은 콘덴서의 과도현상으로 인해 처음에는 서서히 변하게 됩니다. 처음에는 저항에 모든 전압이 걸리게 되지만 콘덴서가 충전되기 시작하면서 점점 콘덴서의 전위 상승으로 인해 저항에 걸리는 전압 Vr은 결국에 0으로 됩니다. (콘덴서의 전위와 건전지 전위가 같아지므로 저항 R에는 전위치가 발생하지 않아 0으로 됩니다.) ② RC 직렬 회로에서 방전 시 딜레이 되는 현상입니다. 스위치.. 이전 1 다음
